Основной памяти нового типа предлагается сделать флюорографена
На фоне острого дефицита памяти для ИИ исследователи предложили новую концепцию хранения данных — на основе однослойного флюорографена.
Идея заключается в том, что отдельные атомы фтора в структуре материала могут находиться в двух устойчивых ориентациях относительно углеродного каркаса. Эти два состояния предлагается использовать как бинарные «0» и «1». По расчетам авторов, переключение между состояниями требует энергии около 4,6–4,8 эВ — этого достаточно, чтобы при комнатной температуре исключить самопроизвольные ошибки.
Главный практический вывод работы — потенциально экстремально высокая плотность хранения. По оценке авторов, на одну плоскую структуру площадью 1 см2 можно записать до 447 ТБ данных при околонулевых энергозатратах на хранение информации. В объемных вариантах «наноленты» плотность может достигать 0,4–9 ЗБ на кубический сантиметр.
Кроме того, предлагается многоуровневая схема записи и считывания: от базовой проверки с помощью сканирующего зонда, которую уже можно реализовать на существующем оборудовании, до более быстрых массивов ближнего инфракрасного диапазона. В наиболее продвинутой конфигурации авторы ожидают пропускную способность на уровне 25 ПБ/с.
При этом важно, что речь идет не о готовом продукте, а о теоретической модели, которая еще требует экспериментального подтверждения и проверки технологической реализуемости.
